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6EZ-SIC拋光機

簡要描述:Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經驗,6EZ SiC拋光機是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設計的SiC CMP工具,競爭對手的拋光機基本上是為拋光硅集成電路而設計的,這有一套非常不同的要求,6EZ與其競爭對手之間最重要的區別在于晶圓載具的設計

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 產品資料:
  • 更新時間:2024-11-09
  • 訪  問  量: 2743

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詳細介紹

6EZ晶圓載具設計的優勢:

·Revasum擁有多年研磨和拋光超硬材料(如SiC)的經驗

·6EZ SiC拋光機是市場上僅有的一款專門為拋光SiC基片而設計的SiC CMP工具

·競爭對手的拋光機基本上是為拋光硅集成電路而設計的,這有一套非常不同的要求

·6EZ與其競爭對手之間最重要的區別在于晶圓載具的設計


布局和功能:

綜合清潔站

·向晶圓的上表面和下表面分配1或2中清潔化學品

·高壓噴淋棒(10psi)


晶圓翻轉

·濕式機器人實現雙面拋光


濕式轉運站

·DIW和化學沖洗

三臺200rpm拋光臺,帶拋光臺和拋光墊冷卻(5ºC)

·專用載體、護墊調節劑和護墊清潔劑

·兩種漿料的流量控制器

·每張桌上的化學清潔劑(第三種漿料可選)


漿料分配臂

調節臂和盤片


優化晶圓載體

·基于經驗證的ViPRR技術的設計


晶圓處理

·全自動C2C晶圓

·邊緣抓握干式機器人搬運

·最多50片晶圓,無需操作員干預


晶圓載體對照表

項目 6EZ(板+萬向節) 競爭對手(薄膜) 影響
晶圓載體設計 板+萬向節設計(適用于SiC) 基于膜的設計(適用于硅薄膜) 6EZ從頭開始為SiC設計
拋光下壓力 更高的"拋光下壓力"(設計強勁,無RR力) 較低的"拋光下壓力"(薄膜較弱,RR力降低拋光力) MRR
可靠性 穩健設計,可靠性高 膜可能會意外失效(破裂) 正常運行時間,成本(膜成本高)
扣環設計 扣環不接觸拋光墊;沒有晶圓溢出
扣環上的下壓力較大(需要保持晶圓)
下壓力 更高的"拋光下壓力"(100%的力用于晶圓) 較低的"拋光力"(超過RR所用力的一半) MRR
扣環磨損 襯墊上最小的RR磨損可延長實用壽命 高RR磨損率降低使用壽命 正常運行時間,成本
襯墊磨損 延長極板壽命 RR摩擦縮短襯墊壽命 正常運行時間,成本
襯墊調節 所需的襯墊調節時間更短 需要更多的襯墊調節時間 正常運行時間,成本
熱量產生 扣環摩擦不會產生熱量 必須清除擋圈摩擦產生的熱量 薄膜設計具有更高的襯墊過熱風險(工藝風險)
區域控制 晶圓上的2個區域,可調節 晶圓上的2個區域,可調節




 

 

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